1. Identificação | |
Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
Site | marte3.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3Lwm |
Repositório | sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.21 (acesso restrito) |
Última Atualização | 2006:03.03.18.08.00 (UTC) administrator |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.22.01 |
Última Atualização dos Metadados | 2018:06.06.03.55.46 (UTC) administrator |
Chave Secundária | INPE-13567-PRE/8777 |
ISSN | 0103-9733 |
Rótulo | 10547 |
Chave de Citação | HanamotoHeTrSoYaAb:2002:InLaIm |
Título | Interfacial layers and impurity segregation in InP/In0.53Ga0.47As superlattices |
Projeto | TECMAT: Tecnologia de Materiais |
Ano | 2002 |
Data Secundária | 20020912 |
Mês | June |
Data de Acesso | 05 maio 2024 |
Tipo Secundário | PRE PN |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 293 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Hanamoto, L. K. 2 Henriques, A. B. 3 Tribuzy, C. V. B. 4 Souza, P. L. 5 Yavich, B. 6 Abramof, Eduardo |
Grupo | 1 2 3 4 5 6 LAS-INPE-MCT-BR |
Afiliação | 1 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP) 2 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP) 3 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC) 4 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC) 5 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC) 6 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS) |
Revista | Brazilian Journal of Physics |
Volume | 32 |
Número | 2 |
Páginas | 334-337 |
Histórico (UTC) | 2005-08-04 03:22:02 :: administrator -> jefferson :: 2006-03-03 18:08:46 :: jefferson -> administrator :: 2006-11-14 18:52:54 :: administrator -> jefferson :: 2008-03-14 18:07:56 :: jefferson -> administrator :: 2018-06-06 03:55:46 :: administrator -> marciana :: 2002 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Palavras-Chave | SENSORS AND MATERIALS Impurity Quantum wells Photoluminescence Growth MOVPE INP SENSORES E MATERIAIS Impurezas Fotoluminescência |
Resumo | The interfaces in InP/In0.53Ga0.47As superlattices modulation doped with Si were investigated using magneto-transport, capacitance-voltage, and high resolution X-ray diffraction measurements. Results indicate that a thick interfacial layer is formed when InP is grown on top of InxGa1-xAs, and that Si atoms that fall in the interfacial layer have a high probability of not forming a shallow donor center. Using a simple theoretical model the width of the interfacial layer which was estimated to be 7 +/- 1 monolayers. |
Área | FISMAT |
Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Interfacial layers and... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
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4. Condições de acesso e uso | |
Idioma | en |
Arquivo Alvo | 19.pdf |
Grupo de Usuários | administrator jefferson |
Visibilidade | shown |
Detentor da Cópia | SID/SCD |
Política de Arquivamento | denypublisher denyfinaldraft12 |
Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO. |
Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2001/04.03.15.36 |
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6. Notas | |
Campos Vazios | alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype |
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7. Controle da descrição | |
e-Mail (login) | marciana |
atualizar | |
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