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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemarte3.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YCT/H3Lwm
Repositóriosid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.21   (acesso restrito)
Última Atualização2006:03.03.18.08.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.22.01
Última Atualização dos Metadados2018:06.06.03.55.46 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13567-PRE/8777
ISSN0103-9733
Rótulo10547
Chave de CitaçãoHanamotoHeTrSoYaAb:2002:InLaIm
TítuloInterfacial layers and impurity segregation in InP/In0.53Ga0.47As superlattices
ProjetoTECMAT: Tecnologia de Materiais
Ano2002
Data Secundária20020912
MêsJune
Data de Acesso05 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho293 KiB
2. Contextualização
Autor1 Hanamoto, L. K.
2 Henriques, A. B.
3 Tribuzy, C. V. B.
4 Souza, P. L.
5 Yavich, B.
6 Abramof, Eduardo
Grupo1
2
3
4
5
6 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
2 Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
3 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
4 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
5 Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
6 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número2
Páginas334-337
Histórico (UTC)2005-08-04 03:22:02 :: administrator -> jefferson ::
2006-03-03 18:08:46 :: jefferson -> administrator ::
2006-11-14 18:52:54 :: administrator -> jefferson ::
2008-03-14 18:07:56 :: jefferson -> administrator ::
2018-06-06 03:55:46 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Impurity
Quantum wells
Photoluminescence
Growth
MOVPE
INP
SENSORES E MATERIAIS
Impurezas
Fotoluminescência
ResumoThe interfaces in InP/In0.53Ga0.47As superlattices modulation doped with Si were investigated using magneto-transport, capacitance-voltage, and high resolution X-ray diffraction measurements. Results indicate that a thick interfacial layer is formed when InP is grown on top of InxGa1-xAs, and that Si atoms that fall in the interfacial layer have a high probability of not forming a shallow donor center. Using a simple theoretical model the width of the interfacial layer which was estimated to be 7 +/- 1 monolayers.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Interfacial layers and...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvo19.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
jefferson
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2001/04.03.15.36
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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