%0 Journal Article
%@holdercode {isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S}
%@nexthigherunit 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
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%@issn 0103-9733
%@usergroup administrator
%@usergroup jefferson
%3 19.pdf
%X The interfaces in InP/In0.53Ga0.47As superlattices modulation doped with Si were investigated using magneto-transport, capacitance-voltage, and high resolution X-ray diffraction measurements. Results indicate that a thick interfacial layer is formed when InP is grown on top of InxGa1-xAs, and that Si atoms that fall in the interfacial layer have a high probability of not forming a shallow donor center. Using a simple theoretical model the width of the interfacial layer which was estimated to be 7 +/- 1 monolayers.
%8 June
%N 2
%@secondarydate 20020912
%T Interfacial layers and impurity segregation in InP/In0.53Ga0.47As superlattices
%@secondarytype PRE PN
%K SENSORS AND MATERIALS, Impurity, Quantum wells, Photoluminescence, Growth, MOVPE, INP, SENSORES E MATERIAIS, Impurezas, Fotoluminescência.
%@visibility shown
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%@group LAS-INPE-MCT-BR
%@secondarykey INPE-13567-PRE/8777
%@copyholder SID/SCD
%F 10547
%2 sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.22.01
%@affiliation Universidade de São Paulo, Instituto de Física (USP)
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%@affiliation Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
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%@affiliation Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS)
%@project TECMAT: Tecnologia de Materiais
%B Brazilian Journal of Physics
%P 334-337
%4 sid.inpe.br/iris@1905/2005/08.04.03.21
%D 2002
%V 32
%A Hanamoto, L. K.,
%A Henriques, A. B.,
%A Tribuzy, C. V. B.,
%A Souza, P. L.,
%A Yavich, B.,
%A Abramof, Eduardo,
%@dissemination WEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
%@area FISMAT